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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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FFSH1065B-F155

FFSH1065B-F155

650V 10A SIC SBD GEN 1.5

onsemi

153 -
FFSH1065B-F155

数据表

- TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz 11.5A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FYD0504SATM

FYD0504SATM

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DPAK

onsemi

2,839 -
FYD0504SATM

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 550 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V - 5A - - Surface Mount DPAK -65°C ~ 150°C
NRVBA340T3G

NRVBA340T3G

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA

onsemi

8,869 -
NRVBA340T3G

数据表

- DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 40 V 450 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 40 V - 3A - - Surface Mount SMA -55°C ~ 150°C
NRVTSM260EV2T3G

NRVTSM260EV2T3G

DIODE SCHOTTKY 60V 2A POWERMITE

onsemi

9,927 -
NRVTSM260EV2T3G

数据表

- DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 650 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 12 µA @ 60 V - 2A Automotive AEC-Q101 Surface Mount Powermite -65°C ~ 175°C
MBR30170MFST3G

MBR30170MFST3G

DIODE SCHOTTKY 170V 30A 5DFN

onsemi

5,000 -
MBR30170MFST3G

数据表

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active Schottky 170 V 890 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 170 V 821pF @ 1V, 1MHz 30A - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) -55°C ~ 175°C
FFSB0665B

FFSB0665B

DIODE SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

onsemi

712 -
FFSB0665B

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 650 V 259pF @ 1V, 100kHz 8A - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB0865B

FFSB0865B

DIODE SIL CARB 650V 10.1A D2PAK

onsemi

765 -
FFSB0865B

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) - 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz 10.1A - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSD1065B

FFSD1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

4,116 -
FFSD1065B

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz 13.5A - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
FFSM0865B

FFSM0865B

DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

onsemi

2,980 -
FFSM0865B

数据表

- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz 11.6A - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FES16BT

FES16BT

DIODE GEN PURP 100V 16A TO220-2

onsemi

8,707 -
FES16BT

数据表

- TO-220-2 Tube Obsolete Standard 100 V 950 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 170pF @ 4V, 1MHz 16A - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
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