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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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JANS1N5812R

JANS1N5812R

DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Microchip Technology

2,418 -
JANS1N5812R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 50 V 300pF @ 10V, 1MHz 20A Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
JANS1N5814R

JANS1N5814R

DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Microchip Technology

2,848 -
JANS1N5814R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 100 V 300pF @ 10V, 1MHz 20A Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
MS1N6392

MS1N6392

POWER SCHOTTKY

Microchip Technology

3,295 -
MS1N6392

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
MS1N6392/TR

MS1N6392/TR

POWER SCHOTTKY

Microchip Technology

2,963 -
MS1N6392/TR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
JANS1N5816

JANS1N5816

DIODE SCHOTTKY 150V 20A DO203AA

Microchip Technology

5,723 -
JANS1N5816

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Discontinued at Digi-Key Schottky 150 V 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 150 V 300pF @ 10V, 1MHz 20A Military MIL-PRF-19500/478 Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
UPS340E3/TR13

UPS340E3/TR13

DIODE SCHOTTKY 40V 3A POWERMITE3

Microchip Technology

6,146 -
UPS340E3/TR13

数据表

- Powermite®3 Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V 180pF @ 4V, 1MHz 3A - - Surface Mount Powermite 3 -55°C ~ 125°C
1N4148-1

1N4148-1

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

3,327 -
1N4148-1

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V - 200mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

DIODE GP 600V 30A TO220

Microchip Technology

1,001 -
APT30DQ60KG

数据表

- TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 2.4 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 25 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
1N914

1N914

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Microchip Technology

2,514 -
1N914

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 1.2 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz 200mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
UPS760E3/TR13

UPS760E3/TR13

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERMITE3

Microchip Technology

9,289 -
UPS760E3/TR13

数据表

- Powermite®3 Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 600 mV @ 7 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 60 V 375pF @ 4V, 1MHz 7A - - Surface Mount Powermite 3 -55°C ~ 125°C
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