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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
688-20

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DIODE GEN PURP 20KV 300MA

Microchip Technology

9,068 -
688-20

数据表

- Module Bulk Active Standard 20000 V 34 V @ 400 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 2 µA @ 20000 V - 300mA - - Chassis Mount - -65°C ~ 150°C
688-15

688-15

DIODE GEN PURP 15KV 400MA

Microchip Technology

6,659 -
688-15

数据表

- Module Bulk Active Standard 15000 V 25 V @ 400 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 2 µA @ 15000 V - 400mA - - Chassis Mount - -65°C ~ 150°C
1N6776

1N6776

DIODE GEN PURP 150V 15A TO257

Microchip Technology

4,094 -
1N6776

数据表

- TO-257-3 Bulk Active Standard 150 V 1.15 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 800 mV 300pF @ 5V, 1MHz 15A - - Through Hole TO-257 -65°C ~ 150°C
1N6777

1N6777

DIODE GEN PURP 200V 15A TO257

Microchip Technology

6,493 -
1N6777

数据表

- TO-257-3 Bulk Active Standard 200 V 1.15 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 800 mV 300pF @ 5V, 1MHz 15A - - Through Hole TO-257 -65°C ~ 150°C
1N6778

1N6778

DIODE GEN PURP 400V 15A TO257

Microchip Technology

2,182 -
1N6778

数据表

- TO-257-3 Bulk Active Standard 400 V 1.6 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 320 V 300pF @ 5V, 1MHz 15A - - Through Hole TO-257 150°C (Max)
1N6779

1N6779

DIODE GEN PURP 600V 15A TO257

Microchip Technology

5,430 -
1N6779

数据表

- TO-257-3 Bulk Active Standard 600 V 1.6 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 480 V 300pF @ 5V, 1MHz 15A - - Through Hole TO-257 150°C (Max)
1N6772

1N6772

UFR,FRR

Microchip Technology

2,606 -
1N6772

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N6773

1N6773

UFR,FRR

Microchip Technology

2,741 -
1N6773

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
JANHCA1N6702

JANHCA1N6702

DIODE SCHOTTKY 40V 5A AXIAL

Microchip Technology

2,613 -
JANHCA1N6702

数据表

- Axial Bulk Active Schottky 40 V 470 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 40 V - 5A - - Through Hole Axial -65°C ~ 125°C
1N6774

1N6774

DIODE GEN PURP 50V 15A TO257

Microchip Technology

5,977 -
1N6774

数据表

- TO-257-3 Bulk Active Standard 50 V 1.15 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 800 mV 300pF @ 5V, 1MHz 15A - - Through Hole TO-257 -65°C ~ 150°C
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