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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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1N3891

1N3891

DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

887 -
1N3891

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N1184

1N1184

DIODE GEN PURP 100V 35A DO5

GeneSiC Semiconductor

191 -
1N1184

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.2 V @ 35 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 35A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 190°C
1N1184A

1N1184A

DIODE GEN PURP 100V 40A DO5

GeneSiC Semiconductor

260 -
1N1184A

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 40A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
1N2130AR

1N2130AR

DIODE GEN PURP REV 150V 60A DO5

GeneSiC Semiconductor

245 -
1N2130AR

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 150 V 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 60A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 200°C
S85Q

S85Q

DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO5

GeneSiC Semiconductor

370 -
S85Q

数据表

- DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.1 V @ 85 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 100 V - 85A - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 180°C
GB02SHT01-46

GB02SHT01-46

DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46

GeneSiC Semiconductor

6,492 -
GB02SHT01-46

数据表

- TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 100 V 1.6 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 100 V 76pF @ 1V, 1MHz 4A - - Through Hole TO-46 -55°C ~ 210°C
MBRH30020L

MBRH30020L

DIODE SCHOTTKY 20V 300A D-67

GeneSiC Semiconductor

7,200 -
MBRH30020L

数据表

- D-67 Bulk Obsolete Schottky 20 V 580 mV @ 300 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 20 V - 300A - - Chassis Mount D-67 -55°C ~ 150°C
1N3881R

1N3881R

DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

512 -
1N3881R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3879R

1N3879R

DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4

GeneSiC Semiconductor

236 -
1N3879R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 15 µA @ 50 V - 6A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
1N3889R

1N3889R

DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

GeneSiC Semiconductor

150 -
1N3889R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 50 V 1.4 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 50 V - 12A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
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