富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
S300Z

S300Z

DIODE GP 2KV 300A DO205AB DO9

GeneSiC Semiconductor

6,163 -
S300Z

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 2000 V 1.2 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - 300A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 180°C
S300ZR

S300ZR

DIODE GP REV 2KV 300A DO205AB

GeneSiC Semiconductor

2,839 -
S300ZR

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 2000 V 1.2 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - 300A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 180°C
S380ZR

S380ZR

DIODE GP REV 2KV 380A DO205AB

GeneSiC Semiconductor

6,357 -
S380ZR

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 2000 V 1.2 V @ 380 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - 380A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 180°C
S400K

S400K

DIODE GP 800V 400A DO205AB DO9

GeneSiC Semiconductor

6,813 -
S400K

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 800 V 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 400A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
S400KR

S400KR

DIODE GP REV 800V 400A DO205AB

GeneSiC Semiconductor

3,571 -
S400KR

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 400A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
S400Q

S400Q

DIODE GP 1.2KV 400A DO205AB DO9

GeneSiC Semiconductor

3,416 -
S400Q

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1200 V 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 400A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
S400QR

S400QR

DIODE GP REV 1.2KV 400A DO205AB

GeneSiC Semiconductor

4,366 -
S400QR

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1200 V 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 400A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
S400Y

S400Y

DIODE GP 1.6KV 400A DO205AB DO9

GeneSiC Semiconductor

2,650 -
S400Y

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1600 V 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 400A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
S400YR

S400YR

DIODE GP REV 1.6KV 400A DO205AB

GeneSiC Semiconductor

4,194 -
S400YR

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1600 V 1.2 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 50 V - 400A - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -60°C ~ 200°C
1N8030-GA

1N8030-GA

DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257

GeneSiC Semiconductor

8,359 -
1N8030-GA

数据表

- TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.39 V @ 750 mA No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 76pF @ 1V, 1MHz 750mA - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户