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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214

DIODE SIC 3.3KV 300MA DO214AA

GeneSiC Semiconductor

6,598 -
GAP3SLT33-214

数据表

SiC Schottky MPS™ DO-214AA, SMB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V 2.2 V @ 300 mA - 0 ns 10 µA @ 3300 V 42pF @ 1V, 1MHz 300mA - - Surface Mount DO-214AA -55°C ~ 175°C
GD25MPS17H

GD25MPS17H

DIODE SIL CARB 1.7KV 56A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

1,285 -
GD25MPS17H

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 1.8 V @ 25 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 1083pF @ 1V, 1MHz 56A - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GC05MPS33J

GC05MPS33J

DIODE SIL CARB 3.3KV 5A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

1,114 -
GC05MPS33J

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - 5A - - Surface Mount TO-263-7 175°C
S300Y

S300Y

DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO9

GeneSiC Semiconductor

54 -
S300Y

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 1600 V 1.2 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1600 V - 300A - - Chassis, Stud Mount DO-9 -60°C ~ 180°C
GC50MPS33H

GC50MPS33H

DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2

GeneSiC Semiconductor

78 -
GC50MPS33H

数据表

SiC Schottky MPS™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 3300 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - 50A - - Through Hole TO-247-2 175°C
MURH10010

MURH10010

DIODE GEN PURP 100V 100A D-67

GeneSiC Semiconductor

3,420 -
MURH10010

数据表

- D-67 Bulk Active Standard 100 V 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V - 100A - - Chassis Mount D-67 -
MURH10010R

MURH10010R

DIODE GP REV 100V 100A D-67

GeneSiC Semiconductor

3,378 -
MURH10010R

数据表

- D-67 Bulk Active Standard, Reverse Polarity 100 V 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V - 100A - - Chassis Mount D-67 -
MURH10020

MURH10020

DIODE GEN PURP 200V 100A D-67

GeneSiC Semiconductor

4,632 -
MURH10020

数据表

- D-67 Bulk Active Standard 200 V 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V - 100A - - Chassis Mount D-67 -
MURH10020R

MURH10020R

DIODE GP REV 200V 100A D-67

GeneSiC Semiconductor

3,026 -
MURH10020R

数据表

- D-67 Bulk Active Standard, Reverse Polarity 200 V 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V - 100A - - Chassis Mount D-67 -
MURH10040

MURH10040

DIODE GEN PURP 400V 100A D-67

GeneSiC Semiconductor

7,235 -
MURH10040

数据表

- D-67 Bulk Active Standard 400 V 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 25 µA @ 50 V - 100A - - Chassis Mount D-67 -
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