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二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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TRS15N120HB,S1Q

TRS15N120HB,S1Q

DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247

Toshiba Semiconductor and Storage

60 -
TRS15N120HB,S1Q

数据表

- TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 25A 1.45 V @ 7.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 1200 V 175°C - - Through Hole TO-247
TRS20N120HB,S1Q

TRS20N120HB,S1Q

DIODE ARRAY SIC 1200V 32A TO-247

Toshiba Semiconductor and Storage

60 -
TRS20N120HB,S1Q

数据表

- TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 32A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1200 V 1200 V 175°C - - Through Hole TO-247
1SS361CT(TPL3)

1SS361CT(TPL3)

DIODE ARRAY GP 80V 100MA CST3

Toshiba Semiconductor and Storage

132 -
1SS361CT(TPL3)

数据表

- SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Obsolete 1 Pair Common Cathode Standard 100mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.6 ns 500 nA @ 80 V 80 V 150°C (Max) - - Surface Mount CST3
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Toshiba Semiconductor and Storage

153 -
HN1D01FE(TE85L,F)

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Active 2 Pair Common Anode Standard 100mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 1.6 ns 500 nA @ 80 V 80 V 150°C (Max) - - Surface Mount ES6
1SS393SU,LF

1SS393SU,LF

DIODE ARR SCHOTT 40V 100MA SC-70

Toshiba Semiconductor and Storage

180 -
1SS393SU,LF

数据表

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active 1 Pair Common Cathode Schottky 100mA 600 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 5 µA @ 40 V 40 V 125°C (Max) - - Surface Mount SC-70
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