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二极管阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管配置 技术 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 工作温度 - 结点 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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MUR2X120A06

MUR2X120A06

DIODE MODULE GP 600V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

4,768 -
MUR2X120A06

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 120A 1.3 V @ 120 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 600 V 600 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A060

MBR2X120A060

DIODE MOD SCHOTT 60V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

3,765 -
MBR2X120A060

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120A 750 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 60 V 60 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A080

MBR2X120A080

DIODE MOD SCHOTT 80V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

8,989 -
MBR2X120A080

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120A 840 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 80 V 80 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A100

MBR2X120A100

DIODE MOD SCHOT 100V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

7,651 -
MBR2X120A100

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120A 840 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 100 V 100 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A120

MBR2X120A120

DIODE MOD SCHOT 120V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

9,287 -
MBR2X120A120

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120A 880 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 120 V 120 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A150

MBR2X120A150

DIODE MOD SCHOT 150V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

5,483 -
MBR2X120A150

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120A 880 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 150 V 150 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A180

MBR2X120A180

DIODE MOD SCHOT 180V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

5,556 -
MBR2X120A180

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120A 920 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 180 V 180 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MBR2X120A200

MBR2X120A200

DIODE MOD SCHOT 200V 120A SOT227

GeneSiC Semiconductor

9,328 -
MBR2X120A200

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Schottky 120A 920 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 3 mA @ 200 V 200 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X120A10

MUR2X120A10

DIODE MOD GP 1000V 120A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

3,976 -
MUR2X120A10

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 120A 2.35 V @ 120 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1000 V 1000 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MUR2X120A12

MUR2X120A12

DIODE MOD GP 1200V 120A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

5,896 -
MUR2X120A12

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active 2 Independent Standard 120A 2.35 V @ 120 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 µA @ 1200 V 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
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