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射频二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 电压 - 反向峰值(最大值) 电容 @ Vr, F 电阻 @ If, F 功耗(最大值) 工作温度 等级 电流 - 最大值 认证 供应商设备封装

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GE06MPS06Q

GE06MPS06Q

650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

GeneSiC Semiconductor

6,489 -
GE06MPS06Q

数据表

MPS™ 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active Schottky - Single 650V - - - - - 6 A - 4-QFN (8x8)
GE08MPS06Q

GE08MPS06Q

650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP

GeneSiC Semiconductor

2,342 -
GE08MPS06Q

数据表

MPS™ 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active Schottky - Single 650V - - - - - 8 A - 4-QFN (8x8)
GE12MPS06E

GE12MPS06E

650V 12A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

7,443 -
GE12MPS06E

数据表

MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Schottky - Single 650V - - - - - 12 A - TO-252-2
GE12MPS06A

GE12MPS06A

650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

8,950 -
GE12MPS06A

数据表

MPS™ TO-220-2 Tube Active Schottky - Single 650V - - - - - 12 A - TO-220-2
GE10MPS06Q

GE10MPS06Q

650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

7,170 -
GE10MPS06Q

数据表

MPS™ 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active Schottky - Single 650V - - - - - 10 A - 4-QFN (8x8)
GE12MPS06Q

GE12MPS06Q

650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

8,440 -
GE12MPS06Q

数据表

MPS™ 4-PowerVSFN Tape & Reel (TR) Active Schottky - Single 650V - - - - - 12 A - 4-QFN (8x8)
GE2X12MPS06D

GE2X12MPS06D

650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M

GeneSiC Semiconductor

4,300 -
GE2X12MPS06D

数据表

MPS™ TO-247-3 Tube Active Schottky - 1 Pair Common Cathode 650V - - - - - 24 A - TO-247-3
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

RF DIODE PIN 8000V

GeneSiC Semiconductor

7,040 -
GA01PNS80-220

数据表

- Axial Tube Active PIN - Single 8000V 4pF @ 1000V, 1MHz - - -55°C ~ 175°C (TJ) - 2 A - -
GA01PNS150-201

GA01PNS150-201

SIC DIODE 15000V 1A DO-201

GeneSiC Semiconductor

2,910 -
GA01PNS150-201

数据表

- DO-201AD, Axial Bulk Active PIN - Single 15000V 22pF @ 1V, 1MHz - - -55°C ~ 175°C (TJ) - 1 A - DO-201
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