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MT54V512H18EF-10

MT54V512H18EF-10

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制造商部分
MT54V512H18EF-10
制造商
Micron Technology
描述
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
类别
集成电路
家庭
记忆
系列
-
有存货
147
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:QDR™
包裹:Bulk
零件状态:Active
内存类型:Volatile
内存格式:SRAM
技术:SRAM - Quad Port, Synchronous
内存大小:9Mb (512K x 18)
内存接口:Parallel
时钟频率:100 MHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:-
电压 - 电源:2.4V ~ 2.6V
工作温度:0°C ~ 70°C (TA)
安装类型:Surface Mount
包/箱:165-TBGA
供应商设备包:165-FBGA (13x15)

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