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BLD6G21L-50,112

BLD6G21L-50,112

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制造商部分
BLD6G21L-50,112
制造商
NXP Semiconductors
描述
RF TRANSISTOR
类别
分立半导体产品
家庭
晶体管 - 场效应晶体管,场效应晶体管 - 射频
系列
-
有存货
10
在线数据表
-
询问

Product Specifications

Type 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Obsolete
晶体管型:LDMOS (Dual), Common Source
频率:2.02GHz
获得:14.5dB
电压测试:28 V
额定电流(安培):10.2A
噪声系数:-
电流测试:170 mA
功率输出:8W
额定电压:65 V
包/箱:SOT-1130A
供应商设备包:CDFM4

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